세계 반도체 시장 수요의 절반 이상을 차지하는 중국 시장이 우한 폐렴(신종 코로나)으로 신음하는 상황에 반도체 업계는 반도체 업황 개선세가 꺾이지 않을까 우려하고 있다. 이런 상황에서 삼성전자는 기술혁신을 앞세운 ‘초격차 전략’으로 위기를 극복할 계획이다.

이날 삼성전자가 공개한 메모리반도체 신제품 플래시볼트는 ‘3세대 16GB HBM2E(고대역폭 메모리) D램’이다. 삼성전자가 2017년 12월 세계 최초로 개발해 출시한 아쿠아볼트(2세대 8GB HBM2 D램)보다 속도와 용량이 각각 1.3배, 2배 향상됐다.

반도체 업계 관계자는 “HBM D램은 현존하는 D램 중 가장 기술력이 높다고 평가받는 제품이며 글로벌 기업 중 HBM 제품을 출시한 곳은 삼성전자가 유일하다”고 말했다.

HBM은 AI 서비스용 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 그래픽카드 등 프리미엄 시장에 최적의 솔루션을 제공하는 고대역폭 메모리를 뜻한다. 이 제품은 D램 칩을 일반 종이의 절반 수준으로 깎아낸 뒤 수천 개의 미세한 구멍을 뚫고, 위아래 칩의 구멍을 수직으로 연결하는 최첨단 패키징 기술인 ‘TSV(Through Silicon Via•실리콘 관통 전극)’를 적용한 것이 특징이다. 이 기술을 적용하면 일반 D램과 비교했을 때 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올릴 수 있다.